Infineon Technologies BSC040N10NS5ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC040N10NS5ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC040N10NS5ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 889.57440
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC040N10NS5ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC040N10NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC040N10NS5ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC040N10NS5ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC040N10NS5ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC040N10NS5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC040N10NS5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 95µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC040N10NS5ATMA1-ND BSC040N10NS5ATMA1TR SP001295030 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC040N10NS5ATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC040N1, BSC040N10NS5ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC040N10NS5ATMA1 의 관련 제품
 | VJ0402D0R9VXCAJ | 0.90pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R9VXCAJ.pdf | |
 | K680J10C0GF53H5 | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K680J10C0GF53H5.pdf | |
 | GRM0336S1E4R2CD01D | 4.2pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336S1E4R2CD01D.pdf | |
 | BFC237112823 | 0.082µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.098" W (10.00mm x 2.50mm) | BFC237112823.pdf | |
| CDV30FF153GO3F | MICA | CDV30FF153GO3F.pdf | |
 | MBRTA600150R | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3TOWER | MBRTA600150R.pdf | |
 | DSP10G-TR-E | DIODE GEN PURP 600V 1A 2SHP | DSP10G-TR-E.pdf | |
| LQH43PN3R3M26L | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 62.4 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43PN3R3M26L.pdf | |
.jpg) | RT0201FRE071K13L | RES SMD 1.13K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE071K13L.pdf | |
 | RG1608P-3742-W-T1 | RES SMD 37.4K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-3742-W-T1.pdf | |
 | CRA04S08333K0JTD | RES ARRAY 4 RES 33K OHM 0804 | CRA04S08333K0JTD.pdf | |
| CMF653M0000FKEB | RES 3M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF653M0000FKEB.pdf |
