Infineon Technologies BSC046N02KS G

BSC046N02KS G
제조업체 부품 번호
BSC046N02KS G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC046N02KS G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSC046N02KS G
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C19A(Ta), 80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.6m옴 @ 50A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 110µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4100pF @ 10V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 5,000
다른 이름BSC046N02KS G-ND
BSC046N02KS GTR
BSC046N02KSG
BSC046N02KSGAUMA1
SP000379666
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC046N02KS G
관련 링크BSC046, BSC046N02KS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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