창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC046N02KS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC046N02KS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 50A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 110µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC046N02KS G | |
관련 링크 | BSC046, BSC046N02KS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
C1210C103KBRACTU | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C103KBRACTU.pdf | ||
ECQ-E2474KF3 | 0.47µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.209" W (18.50mm x 5.30mm) | ECQ-E2474KF3.pdf | ||
TH3B106M010E1800 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 1.8 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B106M010E1800.pdf | ||
LP150F23IDT | 15MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP150F23IDT.pdf | ||
402F26022IKT | 26MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26022IKT.pdf | ||
377NB3C1250T | 125MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA Enable/Disable | 377NB3C1250T.pdf | ||
SIT3808AI-CF-33EM-10.000000Y | OSC XO 3.3V 10MHZ OE 25 PPM PR | SIT3808AI-CF-33EM-10.000000Y.pdf | ||
DSC1121CM1-026.5625T | 26.5625MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CM1-026.5625T.pdf | ||
FQB4N80TM | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK | FQB4N80TM.pdf | ||
RG3216N-1822-D-T5 | RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1822-D-T5.pdf | ||
CMF5528K700DHBF | RES 28.7K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5528K700DHBF.pdf | ||
CPCC0247R00JB31 | RES 47 OHM 2W 5% RADIAL | CPCC0247R00JB31.pdf |