Infineon Technologies BSC046N10NS3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC046N10NS3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC046N10NS3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
46150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,653.86708
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC046N10NS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC046N10NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC046N10NS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC046N10NS3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC046N10NS3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC046N10NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC046N10NS3 G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC046N10NS3GATMA1TR SP000907922 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC046N10NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC046N10, BSC046N10NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC046N10NS3GATMA1 의 관련 제품
 | EEU-FC1V122B | 1200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1V122B.pdf | |
 | GRM1555C2A3R9CA01D | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A3R9CA01D.pdf | |
 | ASTMUPCE-33-4.000MHZ-EY-E-T3 | 4MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-4.000MHZ-EY-E-T3.pdf | |
 | AZ23C24-7 | DIODE ZENER ARRAY 24V SOT23-3 | AZ23C24-7.pdf | |
 | DMP32D9UFZ-7B | MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606 | DMP32D9UFZ-7B.pdf | |
 | RSD046P05TL | MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3 | RSD046P05TL.pdf | |
 | CBM-120-UV-C14-J390-22 | Ultraviolet (UV) Emitter 385nm 3.6V 18A Module | CBM-120-UV-C14-J390-22.pdf | |
 | 1140-121K-RC | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 9.9A 28 mOhm Max Radial | 1140-121K-RC.pdf | |
 | BRFL2518T4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 330 mOhm 1007 (2518 Metric) | BRFL2518T4R7M.pdf | |
 | CRCW08059R31FKEA | RES SMD 9.31 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08059R31FKEA.pdf | |
.jpg) | ERA-8AEB76R8V | RES SMD 76.8 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB76R8V.pdf | |
 | RG1608P-151-W-T1 | RES SMD 150 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-151-W-T1.pdf |
