창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC046N10NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC046N10NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC046N10NS3GATMA1TR SP000907922 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC046N10NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC046N10, BSC046N10NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SA101C222MAR | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101C222MAR.pdf | |
![]() | MAT01GHZ | TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 | MAT01GHZ.pdf | |
![]() | NSV60100DMTWTBG | DUAL TRANSISTOR PNP | NSV60100DMTWTBG.pdf | |
![]() | IMC1210ER82NK | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ER82NK.pdf | |
![]() | 4379-394JS | 390µH Shielded Inductor 72mA 9.7 Ohm Max 2-SMD | 4379-394JS.pdf | |
![]() | CR0603-FX-1004ELF | RES SMD 1M OHM 1% 1/10W 0603 | CR0603-FX-1004ELF.pdf | |
![]() | CRCW12068R20FKEAHP | RES SMD 8.2 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12068R20FKEAHP.pdf | |
![]() | CPF0805B182KE1 | RES SMD 182K OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B182KE1.pdf | |
![]() | TNPW120616K2BEEA | RES SMD 16.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120616K2BEEA.pdf | |
![]() | Y08500R03900F0W | RES SMD 0.039 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R03900F0W.pdf | |
![]() | AC07000001002JAC00 | RES 10K OHM 7W 5% AXIAL | AC07000001002JAC00.pdf |