Infineon Technologies BSC0502NSIATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC0502NSIATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC0502NSIATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 531.75300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC0502NSIATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC0502NSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0502NSIATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC0502NSIATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC0502NSIATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC0502NSIATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC0502NSI | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001288142 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC0502NSIATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC0502, BSC0502NSIATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC0502NSIATMA1 의 관련 제품
 | MAL210617153E3 | 15000µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 20 mOhm @ 100Hz 20000 Hrs @ 85°C | MAL210617153E3.pdf | |
-5.jpg) | CL05C080CB5NCNC | 8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C080CB5NCNC.pdf | |
 | VJ1808Y681JXPAT5Z | 680pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | VJ1808Y681JXPAT5Z.pdf | |
 | R76QI22204040J | 0.022µF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | R76QI22204040J.pdf | |
 | B33364A3256J050 | 25µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP) Radial, Can 2.756" L x 1.772" W (70.00mm x 45.00mm) | B33364A3256J050.pdf | |
 | 06035J0R6YBTTR | 0.60pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J0R6YBTTR.pdf | |
 | SLD36U-017 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC AXIAL | SLD36U-017.pdf | |
 | 445I25S30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 시리즈 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25S30M00000.pdf | |
 | SIT3822AI-2B-25EZ | 220MHz ~ 625MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA Enable/Disable | SIT3822AI-2B-25EZ.pdf | |
 | SMAJ5956AE3/TR13 | DIODE ZENER 200V 3W DO214AC | SMAJ5956AE3/TR13.pdf | |
.jpg) | RT0402BRB0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRB0724R9L.pdf | |
.jpg) | RT1210WRD07215RL | RES SMD 215 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD07215RL.pdf |
