Infineon Technologies BSC060P03NS3E G
- 제조업체 부품 번호
- BSC060P03NS3E G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC060P03NS3E G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 470.14008
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC060P03NS3E G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC060P03NS3E G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC060P03NS3E G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC060P03NS3E G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC060P03NS3E G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC060P03NS3E G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC060P03NS3E G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.7A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6020pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC060P03NS3E G-ND BSC060P03NS3EG BSC060P03NS3EGATMA1 SP000472984 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC060P03NS3E G | |
| 관련 링크 | BSC060P, BSC060P03NS3E G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC060P03NS3E G 의 관련 제품
.jpg) | CGA2B2X5R1E103M050BA | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X5R1E103M050BA.pdf | |
 | DSC8002BI2 | 1MHz ~ 150MHz CMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 10mA Standby | DSC8002BI2.pdf | |
 | MCH6203-TL-E | TRANS NPN/PNP 50V 1A 6MCPH | MCH6203-TL-E.pdf | |
 | IRFR48ZPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | IRFR48ZPBF.pdf | |
 | AISC-0805F-470J-T | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 55mA 13.8 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | AISC-0805F-470J-T.pdf | |
| 1638R-08J | 390µH Unshielded Molded Inductor 117mA 16.3 Ohm Max Axial | 1638R-08J.pdf | |
 | HS150 50R F | RES CHAS MNT 50 OHM 1% 150W | HS150 50R F.pdf | |
| Y16252K21000T0W | RES SMD 2.21KOHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16252K21000T0W.pdf | |
 | CMF55143K00FER6 | RES 143K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55143K00FER6.pdf | |
 | CP00032R700JE66 | RES 2.7 OHM 3W 5% AXIAL | CP00032R700JE66.pdf | |
 | MAX9989ETP+T | RF IC LO Buffers Cellular, GSM 700MHz ~ 1.1GHz 40dB Reverse Isolation 20-TQFN-EP (5x5) | MAX9989ETP+T.pdf | |
 | CC1310F64RHBT | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 300MHz ~ 930MHz 32-VFQFN Exposed Pad | CC1310F64RHBT.pdf |
