Infineon Technologies BSC070N10NS5ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC070N10NS5ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC070N10NS5ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 593.04960
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC070N10NS5ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC070N10NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC070N10NS5ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC070N10NS5ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC070N10NS5ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC070N10NS5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC070N10NS5 | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| PCN 설계/사양 | Part Marking Update 14/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC070N10NS5ATMA1TR SP001241596 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC070N10NS5ATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC070N1, BSC070N10NS5ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC070N10NS5ATMA1 의 관련 제품
 | LNR1C473MSE | 47000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C | LNR1C473MSE.pdf | |
.jpg) | VY2681M29Y5US6TV5 | 680pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2681M29Y5US6TV5.pdf | |
 | CD214A-FS1400 | DIODE CHIP 400V 1A DO214AC | CD214A-FS1400.pdf | |
 | 1PMT4627E3/TR7 | DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 | 1PMT4627E3/TR7.pdf | |
 | SRR5028-390Y | 39µH Shielded Wirewound Inductor 860mA 210 mOhm Max 2323 (5858 Metric) | SRR5028-390Y.pdf | |
| S4924-564J | 560µH Shielded Inductor 171mA 10.5 Ohm Max Nonstandard | S4924-564J.pdf | |
 | EL817(C)-VG | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | EL817(C)-VG.pdf | |
 | RMCF0402FT102K | RES SMD 102K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT102K.pdf | |
.jpg) | CR0402-FX-1100GLF | RES SMD 110 OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-1100GLF.pdf | |
| CRGH2010F11R3 | RES SMD 11.3 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F11R3.pdf | |
 | RG1005V-1780-W-T5 | RES SMD 178 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-1780-W-T5.pdf | |
 | RSF12FB4K70 | RES MO 1/2W 4.7K OHM 1% AXIAL | RSF12FB4K70.pdf |
