Infineon Technologies BSC079N03SG
- 제조업체 부품 번호
- BSC079N03SG
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC079N03SG 가격 및 조달
가능 수량
1905 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,143.67200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC079N03SG, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC079N03SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC079N03SG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC079N03SG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC079N03SG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC079N03SG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC079N03S G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 11/Dec/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.6A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 30µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2230pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | BSC079N03SGINCT BSC079N03SGXTINCT BSC079N03SGXTINCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC079N03SG | |
| 관련 링크 | BSC07, BSC079N03SG Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC079N03SG 의 관련 제품
 | RDER72A333K1P1H03B | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDER72A333K1P1H03B.pdf | |
 | VJ1808A220JBFAT4X | 22pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A220JBFAT4X.pdf | |
 | VJ0603D220GXXAP | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D220GXXAP.pdf | |
 | BFC241912704 | 0.27µF Film Capacitor 125V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC241912704.pdf | |
 | 7V25000025 | 25MHz ±10ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V25000025.pdf | |
 | 416F40033ADR | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40033ADR.pdf | |
 | UH3C-E3/57T | DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB | UH3C-E3/57T.pdf | |
 | BNX025H01L | LC EMI Filter 5th Order Low Pass 2 Channel C = 10µF 15A 4-SMD, No Lead | BNX025H01L.pdf | |
 | ISC1812BN3R3J | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 357mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN3R3J.pdf | |
 | AQV212EHAZ | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0.300", 7.62mm) | AQV212EHAZ.pdf | |
 | PFC-W1206LF-03-4750-B | RES SMD 475 OHM 0.1% 1/3W 1206 | PFC-W1206LF-03-4750-B.pdf | |
 | 66F115-0446 | THERMOSTAT 115 DEG NO 8-DIP | 66F115-0446.pdf |
