Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC082N10LSGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC082N10LSGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 978.53184
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC082N10LSGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC082N10LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC082N10LSGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC082N10LSGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC082N10LSGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC082N10LSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC082N10LS G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 110µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7400pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC082N10LS G BSC082N10LS G-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LSG SP000379609 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC082N10LSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC082N1, BSC082N10LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC082N10LSGATMA1 의 관련 제품
 | UAS2D470MPD1TD | 47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UAS2D470MPD1TD.pdf | |
| EKMM421VSN681MA60S | 680µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM421VSN681MA60S.pdf | |
 | C2220C334M2RACTU | 0.33µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C334M2RACTU.pdf | |
 | AQ125A561JAJME | 560pF 50V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ125A561JAJME.pdf | |
| BFC233868125 | 0.047µF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC233868125.pdf | |
 | 416F36025AAR | 36MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36025AAR.pdf | |
| CDRR94NP-3R3MC | 3.3µH Shielded Inductor 2.7A 38.8 mOhm Max Nonstandard | CDRR94NP-3R3MC.pdf | |
 | RMCF0402JT240K | RES SMD 240K OHM 5% 1/16W 0402 | RMCF0402JT240K.pdf | |
.jpg) | ERA-8APB5761V | RES SMD 5.76K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB5761V.pdf | |
 | RCP2512B430RGED | RES SMD 430 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B430RGED.pdf | |
 | YC324-FK-0712R1L | RES ARRAY 4 RES 12.1 OHM 2012 | YC324-FK-0712R1L.pdf | |
| Y16901R26260Q9L | RES 1.2626 OHM 8W 0.02% TO220-4 | Y16901R26260Q9L.pdf |
