Infineon Technologies BSC084P03NS3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSC084P03NS3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC084P03NS3 G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 363.24288
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC084P03NS3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC084P03NS3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC084P03NS3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC084P03NS3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC084P03NS3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC084P03NS3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC084P03NS3 G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.9A(Ta), 78.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 105µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC084P03NS3 G-ND BSC084P03NS3G BSC084P03NS3GATMA1 SP000473020 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC084P03NS3 G | |
| 관련 링크 | BSC084P, BSC084P03NS3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC084P03NS3 G 의 관련 제품
 | UHD1A392MHD6 | 3900µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHD1A392MHD6.pdf | |
.jpg) | 251R15S360JV4E | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S360JV4E.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2165C1H330GZ01D | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1H330GZ01D.pdf | |
-14.jpg) | C2012X7R1C474M | 0.47µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R1C474M.pdf | |
 | 37418000430 | FUSE BOARD MOUNT 8A 250VAC RAD | 37418000430.pdf | |
 | TPD4E002DRLR | TVS DIODE 3VWM SOT5 | TPD4E002DRLR.pdf | |
 | 510MBB-ABAG | 100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 26mA Enable/Disable | 510MBB-ABAG.pdf | |
 | AR4PGHM3/86A | DIODE AVALANCHE 400V 2A TO277A | AR4PGHM3/86A.pdf | |
 | IRF3805SPBF | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | IRF3805SPBF.pdf | |
 | ESR25JZPF15R0 | RES SMD 15 OHM 1% 1/2W 1210 | ESR25JZPF15R0.pdf | |
.jpg) | RE0603FRE0718RL | RES SMD 18 OHM 1% 1/10W 0603 | RE0603FRE0718RL.pdf | |
| E2E-S05S12-WC-B1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.047" (1.2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M5 | E2E-S05S12-WC-B1 5M.pdf |
