Infineon Technologies BSC0901NSI
- 제조업체 부품 번호
- BSC0901NSI
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC0901NSI 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC0901NSI, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC0901NSI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0901NSI, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC0901NSI 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC0901NSI 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC0901NSI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC0901NSI | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(15V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC0901NSI-ND BSC0901NSIATMA1 SP000819818 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC0901NSI | |
| 관련 링크 | BSC09, BSC0901NSI Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC0901NSI 의 관련 제품
 | VJ0402D680MLXAP | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D680MLXAP.pdf | |
 | F1772SX232231MFMB0 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1772SX232231MFMB0.pdf | |
 | HCM497680000ABJT | 7.68MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM497680000ABJT.pdf | |
;K.jpg) | VS-ST1230C16K0LP | SCR 1600V 3200A K-PUK | VS-ST1230C16K0LP.pdf | |
| F1827CCH1600 | MODULE SCR/DIODE 25A 600VAC | F1827CCH1600.pdf | |
| MKE38RK600DFELB | MOSFET N-CH 600V 50A SMPD | MKE38RK600DFELB.pdf | |
 | 1641-182K | 1.8µH Shielded Molded Inductor 775mA 140 mOhm Max Axial | 1641-182K.pdf | |
.jpg) | CRGH0603F24K9 | RES SMD 24.9K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F24K9.pdf | |
 | CMF559M1000JKR6 | RES 9.1M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF559M1000JKR6.pdf | |
| CMD69273 | OMNI DBAND 300MM NF | CMD69273.pdf | |
| E6C3-AG5B 720P/R 2M | ENCODER ROTARY 12-24V 720RES 2M | E6C3-AG5B 720P/R 2M.pdf | |
| MS46SR-20-700-Q2-10X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-700-Q2-10X-10R-NC-FN.pdf |
