Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1
제조업체 부품 번호
BSC0910NDIATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
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BSC0910NDIATMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSC0910NDIATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSC0910NDI
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 비대칭
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A, 31A
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.6m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4500pF @ 12V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TISON-8
표준 포장 5,000
다른 이름SP000998052
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC0910NDIATMA1
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