Infineon Technologies BSC093N04LSGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC093N04LSGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC093N04LSGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
31150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 222.39360
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC093N04LSGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC093N04LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC093N04LSGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC093N04LSGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC093N04LSGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC093N04LSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC093N04LS G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 14µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC093N04LS G BSC093N04LS G-ND BSC093N04LS GTR BSC093N04LS GTR-ND BSC093N04LSG SP000387929 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC093N04LSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC093N0, BSC093N04LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC093N04LSGATMA1 의 관련 제품
 | C1812H104J1GACTU | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812H104J1GACTU.pdf | |
 | VJ1210Y821KBFAT4X | 820pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y821KBFAT4X.pdf | |
 | MKP383412250JPI2T0 | 0.12µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP383412250JPI2T0.pdf | |
 | BZG04-33TR3 | TVS DIODE 33VWM 54.1VC DO214AC | BZG04-33TR3.pdf | |
| TMPG06-15HE3/53 | TVS DIODE 12.1VWM 22VC AXIAL | TMPG06-15HE3/53.pdf | |
| SIT8008BI-71-33S-16.000000G | OSC XO 3.3V 16MHZ | SIT8008BI-71-33S-16.000000G.pdf | |
 | BTA316X-800B0,127 | TRIAC 800V 16A TO220F | BTA316X-800B0,127.pdf | |
 | CDR105NP-101MC | 100µH Shielded Inductor 800mA 350 mOhm Max Nonstandard | CDR105NP-101MC.pdf | |
 | LTV-8141M | Optoisolator Darlington Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | LTV-8141M.pdf | |
 | 4604X-102-221LF | RES ARRAY 2 RES 220 OHM 4SIP | 4604X-102-221LF.pdf | |
 | CMF55280R00FKEA70 | RES 280 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55280R00FKEA70.pdf | |
| P51-300-A-Y-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-Y-P-4.5OVP-000-000.pdf |
