Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC100N06LS3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC100N06LS3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 237.21984
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC100N06LS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC100N06LS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC100N06LS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC100N06LS3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC100N06LS3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC100N06LS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC100N06LS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 23µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3 GTR BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3G SP000453664 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC100N06LS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC100N06, BSC100N06LS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC100N06LS3GATMA1 의 관련 제품
 | SQCB2A471KAJWE | 470pF 200V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2A471KAJWE.pdf | |
 | B32652A4224J189 | 0.22µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | B32652A4224J189.pdf | |
 | BFC246866154 | 0.15µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.228" W (17.50mm x 5.80mm) | BFC246866154.pdf | |
 | ECS-135.6-20-3X-EN-TR | 13.56MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-135.6-20-3X-EN-TR.pdf | |
-7.00-mm-x-5.00-mm.jpg) | DSC1001AI5-029.4912T | 29.4912MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AI5-029.4912T.pdf | |
 | 2EZ39DE3/TR8 | DIODE ZENER 39V 2W DO204AL | 2EZ39DE3/TR8.pdf | |
 | IRLZ44STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | IRLZ44STRRPBF.pdf | |
| RJ5EX502 | 5k Ohm 0.25W, 1/4W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 14 Turn Side Adjustment | RJ5EX502.pdf | |
 | ISC1812EB1R5J | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 418mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EB1R5J.pdf | |
 | IMC1210EB121K | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 11 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB121K.pdf | |
 | 4N46 | Optoisolator Darlington with Base Output 3750Vrms 1 Channel 6-DIP | 4N46.pdf | |
.jpg) | RT0603BRB07165RL | RES SMD 165 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB07165RL.pdf |
