창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC100N06LS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC100N06LS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 23µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3 GTR BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3G SP000453664 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC100N06LS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC100N06, BSC100N06LS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ1111D271KXLAT | 270pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.117" L x 0.110" W(2.98mm x 2.79mm) | VJ1111D271KXLAT.pdf | |
![]() | VJ0402D390GLXAP | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390GLXAP.pdf | |
![]() | VJ0805D5R1BLBAJ | 5.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R1BLBAJ.pdf | |
![]() | VJ0603D330FLCAC | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330FLCAC.pdf | |
![]() | MKP383282040JCM2B0 | 8200pF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.406" L x 0.197" W (10.30mm x 5.00mm) | MKP383282040JCM2B0.pdf | |
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![]() | RT1206CRC0788R7L | RES SMD 88.7 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0788R7L.pdf | |
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