Infineon Technologies BSC159N10LSF G
- 제조업체 부품 번호
- BSC159N10LSF G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC159N10LSF G 가격 및 조달
가능 수량
1161 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,270.90000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC159N10LSF G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC159N10LSF G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC159N10LSF G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC159N10LSF G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC159N10LSF G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC159N10LSF G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC159N10LSF G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A(Ta), 63A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.9m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 72µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 114W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | BSC159N10LSF GCT BSC159N10LSF GCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC159N10LSF G | |
| 관련 링크 | BSC159N, BSC159N10LSF G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC159N10LSF G 의 관련 제품
 | MAL214651222E3 | 2200µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 125°C | MAL214651222E3.pdf | |
 | EGPA500ELL102MU30S | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 36 mOhm 5000 Hrs @ 125°C | EGPA500ELL102MU30S.pdf | |
 | SMQ250VS821M22X50T2 | 820µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 303 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMQ250VS821M22X50T2.pdf | |
 | SIT8208AI-G3-18E-62.500000Y | OSC XO 1.8V 62.5MHZ OE | SIT8208AI-G3-18E-62.500000Y.pdf | |
| SIT1618BE-31-33N-12.288000Y | OSC XO 3.3V 12.288MHZ NC | SIT1618BE-31-33N-12.288000Y.pdf | |
 | ISC1210BN10NK | 10nH Shielded Wirewound Inductor 810mA 100 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN10NK.pdf | |
 | WSL20109L000FEA | RES SMD 0.009 OHM 1% 1/2W 2010 | WSL20109L000FEA.pdf | |
 | CRT0805-CX-5111ELF | RES SMD 5.11K OHM 1/8W 0805 | CRT0805-CX-5111ELF.pdf | |
 | RN73C1J19K6BTG | RES SMD 19.6KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J19K6BTG.pdf | |
 | EXB-N8V511JX | RES ARRAY 4 RES 510 OHM 0804 | EXB-N8V511JX.pdf | |
 | CMF5533R000JKEB | RES 33 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5533R000JKEB.pdf | |
 | UC2842D8TRG4 | Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology Up to 500kHz 8-SOIC | UC2842D8TRG4.pdf |
