Infineon Technologies BSC159N10LSF G

BSC159N10LSF G
제조업체 부품 번호
BSC159N10LSF G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC159N10LSF G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSC159N10LSF G
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.4A(Ta), 63A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs15.9m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 72µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
전력 - 최대114W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 1
다른 이름BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC159N10LSF G
관련 링크BSC159N, BSC159N10LSF G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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