Infineon Technologies BSC159N10LSFGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC159N10LSFGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC159N10LSFGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,081.27760
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC159N10LSFGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC159N10LSFGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC159N10LSFGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC159N10LSFGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC159N10LSFGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC159N10LSFGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC159N10LSF G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A(Ta), 63A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.9m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 72µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 114W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC159N10LSF G BSC159N10LSF G-ND BSC159N10LSF GTR-ND BSC159N10LSFG SP000379614 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC159N10LSFGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC159N10, BSC159N10LSFGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC159N10LSFGATMA1 의 관련 제품
 | UMW1H010MDD1TE | 1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMW1H010MDD1TE.pdf | |
 | SLPX271M420H3P3 | 270µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 737 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | SLPX271M420H3P3.pdf | |
 | C0402C519K5GACTU | 5.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C519K5GACTU.pdf | |
 | VJ0603D470FXPAJ | 47pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470FXPAJ.pdf | |
| C911U471KVYDBAWL20 | 470pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U471KVYDBAWL20.pdf | |
 | M551B108K060AH | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 60V M55 Module 25 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B108K060AH.pdf | |
 | 1SMA5916BT3G | DIODE ZENER 4.3V 1.5W SMA | 1SMA5916BT3G.pdf | |
 | ACZRM5226B-HF | DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123FL | ACZRM5226B-HF.pdf | |
| IDCS5020ER181M | 180µH Shielded Wirewound Inductor 500mA 700 mOhm Max Nonstandard | IDCS5020ER181M.pdf | |
| AA0805FR-07147KL | RES SMD 147K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-07147KL.pdf | |
.jpg) | RC2010JK-074R3L | RES SMD 4.3 OHM 5% 3/4W 2010 | RC2010JK-074R3L.pdf | |
.jpg) | RT0805BRB079K76L | RES SMD 9.76K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB079K76L.pdf |
