Infineon Technologies BSC190N12NS3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC190N12NS3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC190N12NS3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 633.82176
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC190N12NS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC190N12NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC190N12NS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC190N12NS3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC190N12NS3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC190N12NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC190N12NS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.6A(Ta), 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 39A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 42µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 G-ND BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3G SP000652752 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC190N12NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC190N12, BSC190N12NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC190N12NS3GATMA1 의 관련 제품
 | 515D226M025JA6AE3 | 22µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 515D226M025JA6AE3.pdf | |
 | DEF2CLH020CA3B | 2pF 6300V(6.3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DEF2CLH020CA3B.pdf | |
| UP050SL560J-KFC | 56pF 50V 세라믹 커패시터 SL 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050SL560J-KFC.pdf | |
 | 5SF 125-R | FUSE GLASS 125MA 250VAC 5X20MM | 5SF 125-R.pdf | |
 | 445A35J24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35J24M00000.pdf | |
 | SG-310SCF 32.0000MM3 | 32MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 3.5mA Standby (Power Down) | SG-310SCF 32.0000MM3.pdf | |
-7.00-mm-x-5.00-mm.jpg) | DSC1001AL5-040.0000T | 40MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AL5-040.0000T.pdf | |
 | MA4P7441F-1091T | DIODE PIN MRI MELF | MA4P7441F-1091T.pdf | |
 | IR333C | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial | IR333C.pdf | |
 | KRL3216T4A-M-R009-F-T5 | RES SMD 0.009 OHM 1W 1206 WIDE | KRL3216T4A-M-R009-F-T5.pdf | |
 | CP0010470R0JB14 | RES 470 OHM 10W 5% AXIAL | CP0010470R0JB14.pdf | |
| 315001500002 | HERMETIC THERMOSTAT | 315001500002.pdf |
