Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC252N10NSFGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC252N10NSFGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 390.52316
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC252N10NSFGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC252N10NSFGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC252N10NSFGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC252N10NSFGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC252N10NSFGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC252N10NSFGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC252N10NSF G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25.2m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 43µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC252N10NSF G BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GTR BSC252N10NSF GTR-ND SP000379608 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC252N10NSFGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC252N10, BSC252N10NSFGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC252N10NSFGATMA1 의 관련 제품
 | UVY0J103MHD1TN | 10000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVY0J103MHD1TN.pdf | |
 | CBR08C240J5GAC | 24pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C240J5GAC.pdf | |
 | VJ0805D330FXCAP | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330FXCAP.pdf | |
 | 595D106X9050D2T | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.295" L x 0.169" W (7.50mm x 4.30mm) | 595D106X9050D2T.pdf | |
 | T498C476K006ZTE800 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2312 (6032 Metric) 800 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T498C476K006ZTE800.pdf | |
 | 445W31L14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31L14M31818.pdf | |
| SIT8008AI-12-33E-16.000000E | OSC XO 3.3V 16MHZ | SIT8008AI-12-33E-16.000000E.pdf | |
 | FD3840012 | 38.4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 25mA Enable/Disable | FD3840012.pdf | |
 | 530BB100M000DG | 100MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 98mA Enable/Disable | 530BB100M000DG.pdf | |
 | APT30D20BCAG | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | APT30D20BCAG.pdf | |
 | 767163274GP | RES ARRAY 8 RES 270K OHM 16SOIC | 767163274GP.pdf | |
 | OHD3-100M | SENSTHERMOHD3 100C 6W MAKE | OHD3-100M.pdf |
