창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC265N10LSFGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC265N10LSF G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 43µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC265N10LSF G BSC265N10LSF G-ND BSC265N10LSFGATMA1TR SP000379618 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC265N10LSFGATMA1 | |
관련 링크 | BSC265N10, BSC265N10LSFGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ1812A300JBHAT4X | 30pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A300JBHAT4X.pdf | |
![]() | 0AGC0001ZPGLO | FUSE GLASS 1A 32VAC/VDC 3AB 3AG | 0AGC0001ZPGLO.pdf | |
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![]() | SET010112 | DIODE GEN PURP 600V 15A MODULE | SET010112.pdf | |
![]() | CRM1206-FX-68R1ELF | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/2W 1206 | CRM1206-FX-68R1ELF.pdf | |
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![]() | RG2012N-472-W-T1 | RES SMD 4.7K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-472-W-T1.pdf | |
![]() | HRG3216P-2551-B-T1 | RES SMD 2.55K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2551-B-T1.pdf | |
![]() | Y118974K7390TR13L | RES 74.739KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118974K7390TR13L.pdf |