창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC360N15NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSC360N15NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 45µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC360N15NS3 G BSC360N15NS3 G-ND BSC360N15NS3 GTR-ND BSC360N15NS3G SP000778134 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSC360N15NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC360N15, BSC360N15NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TZQ5223B-GS18 | DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD80 | TZQ5223B-GS18.pdf | |
![]() | SRR1806-681M | 680µH Shielded Wirewound Inductor 540mA 1.47 Ohm Nonstandard | SRR1806-681M.pdf | |
![]() | 36541E4N3JTDG | 4.3nH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 45 mOhm Max Nonstandard | 36541E4N3JTDG.pdf | |
![]() | RT1206DRD07100RL | RES SMD 100 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07100RL.pdf | |
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![]() | CRGH0805F93R1 | RES SMD 93.1 OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F93R1.pdf | |
![]() | ASRM2JA10K0 | RES 10K OHM 2W 5% AXIAL | ASRM2JA10K0.pdf |