Infineon Technologies BSC440N10NS3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC440N10NS3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC440N10NS3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 270.70980
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC440N10NS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC440N10NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC440N10NS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC440N10NS3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC440N10NS3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC440N10NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC440N10NS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta), 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 12µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 810pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 29W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC440N10NS3 G BSC440N10NS3 G-ND BSC440N10NS3 GTR-ND SP000482420 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC440N10NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC440N10, BSC440N10NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC440N10NS3GATMA1 의 관련 제품
 | 08053A102JAT2A | 1000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A102JAT2A.pdf | |
 | VJ0402D150MLBAJ | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D150MLBAJ.pdf | |
 | SMAJ7.5A-E3/61 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMA | SMAJ7.5A-E3/61.pdf | |
 | 445I35L27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35L27M00000.pdf | |
 | ERJ-6ENF2552V | RES SMD 25.5K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF2552V.pdf | |
 | ERJ-MP3PF10MU | RES SMD 0.01 OHM 1% 2W 2010 | ERJ-MP3PF10MU.pdf | |
 | MCR18EZHF30R1 | RES SMD 30.1 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF30R1.pdf | |
.jpg) | RT0805FRD0744R2L | RES SMD 44.2 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD0744R2L.pdf | |
| RT0805CRE07100KL | RES SMD 100K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE07100KL.pdf | |
.jpg) | AT1206DRE0722K6L | RES SMD 22.6K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE0722K6L.pdf | |
.jpg) | TNPU1206590RBZEN00 | RES SMD 590 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206590RBZEN00.pdf | |
 | NSCMNNN010BAUNV | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Absolute 0 mV ~ 91.5 mV (5V) 8-SMD, J-Lead | NSCMNNN010BAUNV.pdf |
