Infineon Technologies BSC500N20NS3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSC500N20NS3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSC500N20NS3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 777.33976
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSC500N20NS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSC500N20NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC500N20NS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSC500N20NS3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC500N20NS3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC500N20NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSC500N20NS3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1580pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC500N20NS3GATMA1TR SP000998292 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSC500N20NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC500N20, BSC500N20NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSC500N20NS3GATMA1 의 관련 제품
 | EEE-1HAR47NR | 0.47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-1HAR47NR.pdf | |
 | B32022A3153K | 0.015µF Film Capacitor 300V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | B32022A3153K.pdf | |
 | SMDJ26A-HRAT7 | TVS DIODE 26VWM 42.1VC 214AB | SMDJ26A-HRAT7.pdf | |
 | FA-128 32.0000MD30W-AC0 | 32MHz ±30ppm 수정 9pF 60옴 -30°C ~ 80°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 32.0000MD30W-AC0.pdf | |
 | SIT8008ACF8-33S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Standby | SIT8008ACF8-33S.pdf | |
 | 1N4002-TP | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | 1N4002-TP.pdf | |
| IRG5U200HF12B | MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 | IRG5U200HF12B.pdf | |
.jpg) | AC0603JR-07470KL | RES SMD 470K OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-07470KL.pdf | |
 | ERJ-S12F97R6U | RES SMD 97.6 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F97R6U.pdf | |
.jpg) | RT1210CRB07113RL | RES SMD 113 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB07113RL.pdf | |
 | RCP1206B91R0GS3 | RES SMD 91 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B91R0GS3.pdf | |
 | CMF551M2800BHEA | RES 1.28M OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551M2800BHEA.pdf |
