Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSD223PH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSD223PH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
10150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 41.43934
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSD223PH6327XTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSD223PH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD223PH6327XTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSD223PH6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSD223PH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSD223PH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSD223P | |
| PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 390mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 390mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1.5µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.62nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 56pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSD223P H6327 BSD223P H6327-ND BSD223PH6327XTSA1-ND BSD223PH6327XTSA1TR SP000924074 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSD223PH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSD223PH, BSD223PH6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSD223PH6327XTSA1 의 관련 제품
 | MKP383347025JD02G0 | 0.047µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | MKP383347025JD02G0.pdf | |
 | T491B686M006AS | 68µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 900 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T491B686M006AS.pdf | |
 | CSM1Z-A0B2C3-50-17.734475D18 | 17.734475MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM1Z-A0B2C3-50-17.734475D18.pdf | |
 | SIT9003AI-2-33DO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.1mA | SIT9003AI-2-33DO.pdf | |
| 224CMQ040 | DIODE SCHOTTKY 40V 110A PRM4 | 224CMQ040.pdf | |
 | SRP1205-5R6Y | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 8.5A 11.4 mOhm Max Nonstandard | SRP1205-5R6Y.pdf | |
 | CPF0603F84R5C1 | RES SMD 84.5 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F84R5C1.pdf | |
.jpg) | RT1210WRD07267KL | RES SMD 267K OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD07267KL.pdf | |
 | CMF551K0000FKEB39 | RES 1K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K0000FKEB39.pdf | |
| NRS5024T2R2NMGJ | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 29 mOhm Max Nonstandard | NRS5024T2R2NMGJ.pdf | |
| DP11H2020B20F | DP11 HOR 20P 20DET 20F M7*7MM | DP11H2020B20F.pdf | |
| PPT0500GRR2VB | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0500GRR2VB.pdf |
