Infineon Technologies BSD314SPEH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSD314SPEH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSD314SPEH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 76.05867
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSD314SPEH6327XTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSD314SPEH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD314SPEH6327XTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSD314SPEH6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSD314SPEH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSD314SPEH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSD314SPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 6.3µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 294pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP000917658 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSD314SPEH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSD314SPE, BSD314SPEH6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSD314SPEH6327XTSA1 의 관련 제품
 | 381LR391M250K012 | 390µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 383 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | 381LR391M250K012.pdf | |
 | VJ0402D0R9CLXAJ | 0.90pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R9CLXAJ.pdf | |
 | C901U330JUSDAAWL35 | 33pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U330JUSDAAWL35.pdf | |
| ECS-160-CDX-0847 | CRYSTAL 16.0000MHZ SMD | ECS-160-CDX-0847.pdf | |
 | FESB8BTHE3/81 | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | FESB8BTHE3/81.pdf | |
 | MMBT3906TT1G | TRANS PNP 40V 0.2A SC75-3 | MMBT3906TT1G.pdf | |
 | LQW18ANR33G80D | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 3.84 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18ANR33G80D.pdf | |
| IHSM3825PJ120L | 12µH Unshielded Inductor 1.5A 170 mOhm Max Nonstandard | IHSM3825PJ120L.pdf | |
.jpg) | PHP00603E1062BBT1 | RES SMD 10.6K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1062BBT1.pdf | |
 | CMF603K2400FKRE70 | RES 3.24K OHM 1W 1% AXIAL | CMF603K2400FKRE70.pdf | |
| CMF553K3200FEEK | RES 3.32K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K3200FEEK.pdf | |
| CTL0052S | Current Sensor 2A, 5A (Selectable) 1 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module, Single Pass Through | CTL0052S.pdf |
