창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSF024N03LT3GXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSF024N03LT3 G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 28/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 106A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.2W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDSON | |
공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | BSF024N03LT3 GCT BSF024N03LT3 GCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSF024N03LT3GXUMA1 | |
관련 링크 | BSF024N03, BSF024N03LT3GXUMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
SMG50VB332M18X35LL | 3300µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 80 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMG50VB332M18X35LL.pdf | ||
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RHEL81H153K1K1A03B | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X8L 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHEL81H153K1K1A03B.pdf | ||
1825HC102KAT9A | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825HC102KAT9A.pdf | ||
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