NXP Semiconductors BSH108,215
- 제조업체 부품 번호
- BSH108,215
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSH108,215 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 187.99672
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSH108,215, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BSH108,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH108,215, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSH108,215 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSH108,215 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSH108,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSH108 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 830mW | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6216-2 934055571215 BSH108 T/R BSH108 T/R-ND BSH108,215-ND BSH108215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSH108,215 | |
| 관련 링크 | BSH10, BSH108,215 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BSH108,215 의 관련 제품
.jpg) | CGA3E2NP01H390J080AA | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2NP01H390J080AA.pdf | |
 | 170M3738 | FUSE SQ 50A 1.3KVAC RECTANGULAR | 170M3738.pdf | |
 | FXO-LC736R-60 | 60MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC736R-60.pdf | |
 | SIT9120AI-1D1-33E155.520000Y | OSC XO 3.3V 155.52MHZ OE | SIT9120AI-1D1-33E155.520000Y.pdf | |
 | VS-MBR2545CT-N3 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB | VS-MBR2545CT-N3.pdf | |
 | IMC1812RQ4R7K | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 315mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ4R7K.pdf | |
 | S1210R-101G | 100nH Shielded Inductor 1.131A 150 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-101G.pdf | |
.jpg) | AT0603DRE078K06L | RES SMD 8.06KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE078K06L.pdf | |
 | RCP0603W680RJEA | RES SMD 680 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W680RJEA.pdf | |
 | MGA-30116-TR2G | RF Amplifier IC CDMA, GSM 400MHz ~ 1GHz 16-QFN (3x3) | MGA-30116-TR2G.pdf | |
| LHUSD2-N-WH | ULTRASONIC WALL SWITCH SENSOR | LHUSD2-N-WH.pdf | |
 | BM1P066FJ-E2 | Converter Offline Flyback Topology 65kHz 8-SOP | BM1P066FJ-E2.pdf |
