NXP Semiconductors BSH108,215

BSH108,215
제조업체 부품 번호
BSH108,215
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
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내부 부품 번호EIS-BSH108,215
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSH108
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs120m옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds190pF @ 10V
전력 - 최대830mW
작동 온도-65°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23(TO-236AB)
표준 포장 3,000
다른 이름568-6216-2
934055571215
BSH108 T/R
BSH108 T/R-ND
BSH108,215-ND
BSH108215
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSH108,215
관련 링크BSH10, BSH108,215 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
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