NXP Semiconductors BSH111BKR

BSH111BKR
제조업체 부품 번호
BSH111BKR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V SOT-23
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내부 부품 번호EIS-BSH111BKR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSH111BK
주요제품55 V, N-Channel Trench MOSFET
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C210mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 200mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds30pF @ 30V
전력 - 최대302mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지TO-236AB
표준 포장 3,000
다른 이름568-12637-2
934068056215
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSH111BKR
관련 링크BSH1, BSH111BKR Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
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