창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP030,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSP030 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 05/Jul/2015 | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 22/Oct/2014 Copper Wire Update 10/Mar/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 8.3W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SC-73 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 568-6218-2 934043650115 BSP030 T/R BSP030 T/R-ND BSP030,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSP030,115 | |
관련 링크 | BSP03, BSP030,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | BFC247944623 | 0.062µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC247944623.pdf | |
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![]() | PTN1206E77R7BST1 | RES SMD 77.7 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E77R7BST1.pdf | |
![]() | CFR25J12K | RES 12.0K OHM 1/3W 5% AXIAL | CFR25J12K.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 8DB N8 | RF Attenuator 8dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 8DB N8.pdf | |
![]() | P61-1000-S-A-I12-5V-A | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P61-1000-S-A-I12-5V-A.pdf |