Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSP129H6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSP129H6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
3150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 232.17892
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSP129H6327XTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSP129H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP129H6327XTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSP129H6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSP129H6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP129H6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSP129 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 350mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 108µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 108pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | BSP129H6327XTSA1TR SP001058580 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSP129H6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSP129H6, BSP129H6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSP129H6327XTSA1 의 관련 제품
 | UTT1A151MDD1TA | 150µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTT1A151MDD1TA.pdf | |
| MKP385413063JFP2B0 | 0.13µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP385413063JFP2B0.pdf | |
 | P6KE8V2A-B | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO15 | P6KE8V2A-B.pdf | |
| SIT8009BI-83-33E-124.870000Y | OSC XO 3.3V 124.87MHZ OE | SIT8009BI-83-33E-124.870000Y.pdf | |
.jpg) | LBM2016T1R8J | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 345mA 480 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBM2016T1R8J.pdf | |
 | LK21252R2M-T | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 500 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LK21252R2M-T.pdf | |
 | V23026B1101B201 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | V23026B1101B201.pdf | |
 | ERJ-2RKF1580X | RES SMD 158 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF1580X.pdf | |
 | RS02B4K000FS70 | RES 4.0K OHM 3W 1% WW AXIAL | RS02B4K000FS70.pdf | |
| H4953RBDA | RES 953 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4953RBDA.pdf | |
| Y00892K43000AR1R | RES 2.43K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y00892K43000AR1R.pdf | |
 | CP00155K000KB14 | RES 5K OHM 15W 10% AXIAL | CP00155K000KB14.pdf |
