NXP Semiconductors BSP51,115
SOT223-1.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- BSP51,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223
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BSP51,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP51,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSP50(51,52) | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-73 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-6964-2 933986340115 BSP51 T/R BSP51 T/R-ND BSP51,115-ND BSP51115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSP51,115 | |
| 관련 링크 | BSP5, BSP51,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
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