ON Semiconductor BSP52T1G
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- BSP52T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
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BSP52T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP52T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSP52T1,T3 | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet MSL Updated 2/April/2007 Wire Bond 01/Dec/2010 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | BSP52T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSP52T1G | |
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