Infineon Technologies BSR315PL6327HTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSR315PL6327HTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSR315PL6327HTSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSR315PL6327HTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSR315PL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSR315PL6327HTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSR315PL6327HTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSR315PL6327HTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSR315PL6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSR315P | |
| PCN 단종/ EOL | Device Migration 01/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 620mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 620mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 160µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 176pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSR315P L6327 BSR315P L6327-ND SP000265405 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSR315PL6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BSR315PL, BSR315PL6327HTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSR315PL6327HTSA1 의 관련 제품
 | GRM3195C2A272JA01D | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3195C2A272JA01D.pdf | |
 | SR215C473KARTR2 | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215C473KARTR2.pdf | |
 | VJ0805D121MLAAR | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121MLAAR.pdf | |
 | C322C683KBR5TA7301 | 0.068µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.150" W(5.08mm x 3.81mm) | C322C683KBR5TA7301.pdf | |
 | VJ1812A180KBBAT4X | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A180KBBAT4X.pdf | |
| 170154J400FE | 0.15µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.335" Dia x 1.102" L (8.50mm x 28.00mm) | 170154J400FE.pdf | |
 | BYM07-100-E3/98 | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | BYM07-100-E3/98.pdf | |
 | MMBZ4699-G3-08 | DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3 | MMBZ4699-G3-08.pdf | |
 | SC-02-200 | 2mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 110 mOhm | SC-02-200.pdf | |
| 4494-395 | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 1.7 Ohm Max Nonstandard | 4494-395.pdf | |
.jpg) | RE1206DRE07267RL | RES SMD 267 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07267RL.pdf | |
 | CRCW2010620KFKEF | RES SMD 620K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010620KFKEF.pdf |
