Infineon Technologies BSS127H6327XTSA2
- 제조업체 부품 번호
- BSS127H6327XTSA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSS127H6327XTSA2 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 53.13725
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSS127H6327XTSA2, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSS127H6327XTSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS127H6327XTSA2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSS127H6327XTSA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSS127H6327XTSA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS127H6327XTSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSS127 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 16mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 8µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS127H6327XTSA2TR SP000919332 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSS127H6327XTSA2 | |
| 관련 링크 | BSS127H6, BSS127H6327XTSA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSS127H6327XTSA2 의 관련 제품
 | RCE5C1H4R0C0A2H03B | 4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H4R0C0A2H03B.pdf | |
 | 150563K400EB | 0.056µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Axial 0.315" Dia x 0.650" L (8.00mm x 16.50mm) | 150563K400EB.pdf | |
 | SL18 5R006-B | ICL 5 OHM 20% 6A 19MM | SL18 5R006-B.pdf | |
 | P4KE250C-G | TVS DIODE 202VWM 360VC DO41 | P4KE250C-G.pdf | |
 | LCE26 | TVS DIODE 26VWM 44.21VC DO201 | LCE26.pdf | |
 | SIT8008AC-23-18E-32.000000D | OSC XO 1.8V 32MHZ OE | SIT8008AC-23-18E-32.000000D.pdf | |
 | STF16N50M2 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP | STF16N50M2.pdf | |
 | PA4304.272NLT | 2.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.1A 16.5 mOhm Max Nonstandard | PA4304.272NLT.pdf | |
.jpg) | RT1206BRD07110KL | RES SMD 110K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07110KL.pdf | |
| RPR-220C1N | IC PHOTOSENSOR REFL DIP | RPR-220C1N.pdf | |
| P51-75-S-G-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-S-G-M12-5V-000-000.pdf | |
 | E2B-M12KN08-M1-B1 | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2B-M12KN08-M1-B1.pdf |
