창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS138W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSS138W Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 220mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS138W-FDITR BSS138W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSS138W-7-F | |
관련 링크 | BSS13, BSS138W-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
VJ0805D680FXBAP | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D680FXBAP.pdf | ||
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7M26070013 | 26MHz ±30ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M26070013.pdf | ||
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ERJ-PA3F1402V | RES SMD 14K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F1402V.pdf | ||
RT1206CRD071M18L | RES SMD 1.18MOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD071M18L.pdf | ||
23J3R0E | RES 3 OHM 3W 5% AXIAL | 23J3R0E.pdf | ||
E2EH-X12C2-M1 | Inductive Proximity Sensor 0.472" (12mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M30 | E2EH-X12C2-M1.pdf |