창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS214NWH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSS214NW | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 3.7µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS214NWH6327XTSA1-ND BSS214NWH6327XTSA1TR SP000917560 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSS214NWH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSS214NWH, BSS214NWH6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 445I25G14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 30pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25G14M31818.pdf | |
![]() | 416F52025IAT | 52MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52025IAT.pdf | |
![]() | BFR340L3E6327XTMA1 | TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 | BFR340L3E6327XTMA1.pdf | |
![]() | MLCAWT-A1-0000-000XDV | LED Lighting XLamp® ML-C White, Cool 6000K 3.2V 100mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad | MLCAWT-A1-0000-000XDV.pdf | |
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![]() | ISC1210ET220K | 22µH Shielded Wirewound Inductor 150mA 3.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ET220K.pdf | |
![]() | 4426R-9RC | 35.5nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 4426R-9RC.pdf | |
![]() | TNPU120642K2AZEN00 | RES SMD 42.2KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120642K2AZEN00.pdf | |
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