Infineon Technologies BSS7728NH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSS7728NH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSS7728NH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
13150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 35.65711
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSS7728NH6327XTSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSS7728NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS7728NH6327XTSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSS7728NH6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSS7728NH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS7728NH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSS7728N | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 56pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS7728N H6327 BSS7728N H6327-ND BSS7728NH6327 BSS7728NH6327XTSA1TR SP000702640 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSS7728NH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSS7728NH, BSS7728NH6327XTSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSS7728NH6327XTSA1 의 관련 제품
-55.jpg) | C1608C0G1H101J/10 | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H101J/10.pdf | |
 | 08053A471JAT4A | 470pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A471JAT4A.pdf | |
 | LD061A182FAB2A | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD061A182FAB2A.pdf | |
 | SIT9003AI-2-18SO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.5mA Standby | SIT9003AI-2-18SO.pdf | |
 | IRF630NPBF | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | IRF630NPBF.pdf | |
 | IXTA6N50P | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK | IXTA6N50P.pdf | |
 | ZWS10B5 | AC/DC CONVERTER 5V 10W | ZWS10B5.pdf | |
.jpg) | HKQ0603W4N3C-T | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 300 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W4N3C-T.pdf | |
 | 78477068 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 5.2A 25 mOhm Max Nonstandard | 78477068.pdf | |
 | 100-681M | 680nH Unshielded Inductor 159mA 620 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead | 100-681M.pdf | |
.jpg) | AF0201FR-0730RL | RES SMD 30 OHM 1% 1/20W 0201 | AF0201FR-0730RL.pdf | |
 | CPF0603F6R34C1 | RES SMD 6.34 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F6R34C1.pdf |
