Infineon Technologies BSS806N H6327

BSS806N H6327
제조업체 부품 번호
BSS806N H6327
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
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내부 부품 번호EIS-BSS806N H6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSS806N
PCN 포장Carrier Tape Update 03/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.3A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs57m옴 @ 2.3A, 2.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)750mV @ 11µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.7nC(2.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds529pF @ 10V
전력 - 최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지PG-SOT23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BSS806N H6327-ND
BSS806NH6327
BSS806NH6327XTSA1
SP000928952
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSS806N H6327
관련 링크BSS806, BSS806N H6327 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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