창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ018NE2LS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSZ018NE2LS | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ018NE2LS-ND BSZ018NE2LSATMA1 SP000756338 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSZ018NE2LS | |
관련 링크 | BSZ01, BSZ018NE2LS Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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SR215C222JARTR1 | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215C222JARTR1.pdf | ||
1206AA331KAT1A | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206AA331KAT1A.pdf | ||
50NHG01BI-400 | FUSE 50A 400V GG/GL SIZE 01 | 50NHG01BI-400.pdf | ||
MPLAD6.5KP40A | TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD | MPLAD6.5KP40A.pdf | ||
P0900SDLRP | SIDAC HI SURGE 75V 1000A DO214 | P0900SDLRP.pdf | ||
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RT0603FRE07487KL | RES SMD 487K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE07487KL.pdf | ||
MCA12060D2002BP500 | RES SMD 20K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D2002BP500.pdf | ||
RNF14FTD487K | RES 487K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD487K.pdf | ||
CMF075K6000JKBF | RES 5.6K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF075K6000JKBF.pdf | ||
Y0102200K000V12L | RES 200K OHM 1.5W 0.005% RADIAL | Y0102200K000V12L.pdf |