Infineon Technologies BSZ042N06NS
- 제조업체 부품 번호
- BSZ042N06NS
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ042N06NS 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 689.27190
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ042N06NS, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ042N06NS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ042N06NS, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ042N06NS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ042N06NS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ042N06NS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ042N06NS | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 36µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSTR SP000917418 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ042N06NS | |
| 관련 링크 | BSZ04, BSZ042N06NS Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ042N06NS 의 관련 제품
 | 12061A330MAT2A | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A330MAT2A.pdf | |
 | 2225HC102KAT1A\SB | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225HC102KAT1A\SB.pdf | |
.jpg) | VC120648D101DP | VARISTOR 62V 100A 1206 | VC120648D101DP.pdf | |
 | ABM3B-16.384MHZ-B-4-Y-T | 16.384MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-16.384MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
 | SIT9120AC-1D3-25E50.000000Y | OSC XO 2.5V 50MHZ OE | SIT9120AC-1D3-25E50.000000Y.pdf | |
 | SRR6040A-330M | 33µH Shielded Inductor 1.1A 120 mOhm Max Nonstandard | SRR6040A-330M.pdf | |
 | WSC01/21R000FEA | RES SMD 1 OHM 1% 1/2W 2012 | WSC01/21R000FEA.pdf | |
 | ERJ-S02F1431X | RES SMD 1.43K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F1431X.pdf | |
 | ERJ-S14F62R0U | RES SMD 62 OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F62R0U.pdf | |
| CRCW040212K1FKTE | RES SMD 12.1K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040212K1FKTE.pdf | |
 | Y1747V0198BA9R | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1747V0198BA9R.pdf | |
| P51-75-G-AF-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-AF-M12-4.5OVP-000-000.pdf |
