Infineon Technologies BSZ050N03LSGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSZ050N03LSGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ050N03LSGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 281.69856
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ050N03LSGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ050N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ050N03LSGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ050N03LSGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ050N03LSGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ050N03LSGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ050N03LS G | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ050N03LS G BSZ050N03LSG BSZ050N03LSGINTR BSZ050N03LSGINTR-ND BSZ050N03LSGXT SP000304139 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ050N03LSGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ050N0, BSZ050N03LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ050N03LSGATMA1 의 관련 제품
 | B43540A5477M67 | 470µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 210 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540A5477M67.pdf | |
 | D203Z43Z5UK6TJ5R | 0.02µF 200V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | D203Z43Z5UK6TJ5R.pdf | |
 | GRM0337U1E910JD01D | 91pF 25V 세라믹 커패시터 U2J 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0337U1E910JD01D.pdf | |
| SIT9122AI-2C3-33E310.000000T | OSC XO 3.3V 310MHZ | SIT9122AI-2C3-33E310.000000T.pdf | |
 | TK62N60X,S1F | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 | TK62N60X,S1F.pdf | |
 | SRF1280-330M | Shielded 2 Coil Inductor Array 132µH Inductance - Connected in Series 33µH Inductance - Connected in Parallel 66.4 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 3.23A Nonstandard | SRF1280-330M.pdf | |
.jpg) | RT0402DRE0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE0724R9L.pdf | |
 | ERJ-B2BJR82V | RES SMD 0.82 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2BJR82V.pdf | |
.jpg) | RT0603WRD07280RL | RES SMD 280 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD07280RL.pdf | |
 | RG1608P-2100-P-T1 | RES SMD 210 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-2100-P-T1.pdf | |
 | CPL05R0400FB14 | RES 0.04 OHM 5W 1% AXIAL | CPL05R0400FB14.pdf | |
| P51-500-A-J-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-A-J-I36-4.5OVP-000-000.pdf |
