Infineon Technologies BSZ097N10NS5ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSZ097N10NS5ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ097N10NS5ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 678.89352
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ097N10NS5ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ097N10NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ097N10NS5ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ097N10NS5ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ097N10NS5ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ097N10NS5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ097N10NS5 | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 36µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ097N10NS5ATMA1TR SP001132550 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ097N10NS5ATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ097N1, BSZ097N10NS5ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ097N10NS5ATMA1 의 관련 제품
 | B41505A3109M | 10000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 53 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B41505A3109M.pdf | |
 | SR202C472KAR | 4700pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR202C472KAR.pdf | |
 | ECS-49-18-10X | 4.9152MHz ±50ppm 수정 18pF 150옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | ECS-49-18-10X.pdf | |
| SG-615P 8.0000MC3: ROHS | 8MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | SG-615P 8.0000MC3: ROHS.pdf | |
 | FDP085N10A_F102 | MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3 | FDP085N10A_F102.pdf | |
 | SCIHP0730-1R0M | 1µH Shielded Inductor 11A 10 mOhm Max Nonstandard | SCIHP0730-1R0M.pdf | |
 | ERJ-12NF2001U | RES SMD 2K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-12NF2001U.pdf | |
 | CHPHT0805K4991FGT | RES SMD 4.99K OHM 1% 0.02W 0805 | CHPHT0805K4991FGT.pdf | |
.jpg) | CR0805-JW-620ELF | RES SMD 62 OHM 5% 1/8W 0805 | CR0805-JW-620ELF.pdf | |
.jpg) | RT0402BRE07576RL | RES SMD 576 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE07576RL.pdf | |
.jpg) | CRCW060362M0JPEAHR | RES SMD 62M OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060362M0JPEAHR.pdf | |
 | RNF14FTD470R | RES 470 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD470R.pdf |
