창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ100N03LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSZ100N03LS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ100N03LS G BSZ100N03LSG BSZ100N03LSGINTR BSZ100N03LSGINTR-ND BSZ100N03LSGXT SP000304135 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSZ100N03LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSZ100N0, BSZ100N03LSGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ASTMHTD-8.000MHZ-AC-E | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-8.000MHZ-AC-E.pdf | |
1N4913 | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | 1N4913.pdf | ||
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![]() | RT1206DRE076R2L | RES SMD 6.2 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE076R2L.pdf | |
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![]() | D2TO035CR0150FTE3 | RES SMD 0.015 OHM 1% 35W TO263 | D2TO035CR0150FTE3.pdf | |
![]() | YC248-FR-07221KL | RES ARRAY 8 RES 221K OHM 1606 | YC248-FR-07221KL.pdf | |
![]() | CMF6015K400FKR670 | RES 15.4K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6015K400FKR670.pdf | |
![]() | P51-1000-S-U-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-S-U-P-20MA-000-000.pdf |