Infineon Technologies BSZ105N04NS G
- 제조업체 부품 번호
- BSZ105N04NS G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ105N04NS G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 170.50176
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ105N04NS G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ105N04NS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ105N04NS G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ105N04NS G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ105N04NS G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ105N04NS G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ105N04NSG | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 14µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ105N04NSG BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGINTR BSZ105N04NSGXT SP000388301 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ105N04NS G | |
| 관련 링크 | BSZ105, BSZ105N04NS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ105N04NS G 의 관련 제품
 | EKZH6R3ELL122MJC5S | 1200µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EKZH6R3ELL122MJC5S.pdf | |
 | 930C4W2P2K-F | 2.2µF Film Capacitor 250V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.827" Dia x 1.748" L (21.00mm x 44.40mm) | 930C4W2P2K-F.pdf | |
 | TV02W8V5-G | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SOD123 | TV02W8V5-G.pdf | |
 | P6KE550C | TVS DIODE 495VWM 798VC DO204AC | P6KE550C.pdf | |
 | 416F384X2CKR | 38.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2CKR.pdf | |
 | SIT8008BI-11-33E-10.000000D | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT8008BI-11-33E-10.000000D.pdf | |
 | FQP8P10 | MOSFET P-CH 100V 8A TO-220 | FQP8P10.pdf | |
| H3Y-2 DC24 30S | Repeat Cycle, Self-Resetting Time Delay Relay DPDT (2 Form C) 1 Sec ~ 30 Sec Delay 5A @ 250VAC Socket | H3Y-2 DC24 30S.pdf | |
.jpg) | AF0603FR-0775KL | RES SMD 75K OHM 1% 1/10W 0603 | AF0603FR-0775KL.pdf | |
 | RCP1206B1K30JET | RES SMD 1.3K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B1K30JET.pdf | |
 | CRCW12061R91FKEAHP | RES SMD 1.91 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12061R91FKEAHP.pdf | |
 | RNF12FTD768K | RES 768K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD768K.pdf |
