Infineon Technologies BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1
제조업체 부품 번호
BSZ12DN20NS3GATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Datesheet 다운로드
다운로드
BSZ12DN20NS3GATMA1 가격 및 조달

가능 수량

6150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 569.77240
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of BSZ12DN20NS3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ12DN20NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ12DN20NS3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
BSZ12DN20NS3GATMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSZ12DN20NS3GATMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSZ12DN20NS3GATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BSZ12DN20NS3G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 5.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds680pF @ 100V
전력 - 최대50W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
다른 이름BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3GTR-ND
SP000781784
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)BSZ12DN20NS3GATMA1
관련 링크BSZ12DN20, BSZ12DN20NS3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
BSZ12DN20NS3GATMA1 의 관련 제품
180µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C UPM1V181MPD1TD.pdf
1800pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 0805YA182JAT2A.pdf
100µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 35 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) TPME107M020R0035.pdf
FUSE AUTO 60A 32VAC 2200 PC 0495060.ZXA.pdf
TVS DIODE 243VWM 430VC DO15 P6KE300-G.pdf
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M BZD27C100P-M-08.pdf
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 STW12NK90Z.pdf
100µH Shielded Toroidal Inductor 3.24A 65 mOhm Max Radial PTKM100-121.pdf
RES SMD 48.7K OHM 1% 1/4W 1206 RT1206FRE0748K7L.pdf
RES SMD 1.18K OHM 0.1% 1/4W 1206 RT1206BRE071K18L.pdf
RES 97.6K OHM 1/4W .5% AXIAL RNF14DTD97K6.pdf
RES 2 OHM 1/2W 1% AXIAL WHA2R0FE.pdf