창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ130N03MS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSZ130N03MS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ130N03MSG BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGINTR BSZ130N03MSGXT SP000313122 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSZ130N03MS G | |
관련 링크 | BSZ130, BSZ130N03MS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
08055A560FAT2A | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A560FAT2A.pdf | ||
MKP383311140JC02Z0 | 0.011µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP383311140JC02Z0.pdf | ||
CMR04F111JPDR | CMR MICA | CMR04F111JPDR.pdf | ||
CMR06F222GPDP | CMR MICA | CMR06F222GPDP.pdf | ||
0GBC016.V | FUSE CRTRDGE 16A 32VAC/VDC TORP | 0GBC016.V.pdf | ||
0034.3103 | FUSE GLASS 40MA 250VAC 5X20MM | 0034.3103.pdf | ||
MCR18EZHJ1R8 | RES SMD 1.8 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ1R8.pdf | ||
RG1005V-2870-D-T10 | RES SMD 287 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005V-2870-D-T10.pdf | ||
RCP0505W11R0GEC | RES SMD 11 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W11R0GEC.pdf | ||
RT1405B7TR13 | RES NTWRK 18 RES 22 OHM 36LBGA | RT1405B7TR13.pdf | ||
43F5K0 | RES 5K OHM 3W 1% AXIAL | 43F5K0.pdf | ||
Y175225R0000Q9L | RES 25 OHM 1W 0.02% AXIAL | Y175225R0000Q9L.pdf |