Infineon Technologies BSZ165N04NS G
- 제조업체 부품 번호
- BSZ165N04NS G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ165N04NS G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 265.98274
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ165N04NS G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ165N04NS G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ165N04NS G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ165N04NS G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ165N04NS G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ165N04NS G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ165N04NSG | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.9A(Ta), 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 840pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ165N04NSG BSZ165N04NSGATMA1 BSZ165N04NSGINTR BSZ165N04NSGXT SP000391523 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ165N04NS G | |
| 관련 링크 | BSZ165, BSZ165N04NS G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ165N04NS G 의 관련 제품
 | SFA66T1K219B-F | 1µF Film Capacitor 660V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip | SFA66T1K219B-F.pdf | |
 | TH3C105M050C3300 | 1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 3.3 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TH3C105M050C3300.pdf | |
| GL300F35CET | 30MHz ±30ppm 수정 20pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL300F35CET.pdf | |
 | DDTA114YE-7-F | TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 | DDTA114YE-7-F.pdf | |
 | HWS50A12/ME | AC/DC CONVERTER 12V 50W | HWS50A12/ME.pdf | |
E.jpg) | VLS2012ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 336 mOhm Max Nonstandard | VLS2012ET-4R7M.pdf | |
 | RG2012N-122-W-T1 | RES SMD 1.2K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-122-W-T1.pdf | |
 | ERJ-PA3F6190V | RES SMD 619 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F6190V.pdf | |
.jpg) | PLT0603Z1981LBTS | RES SMD 1.98K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z1981LBTS.pdf | |
 | RSF1FB549R | RES MO 1W 549 OHM 1% AXIAL | RSF1FB549R.pdf | |
 | XBP24-AWI-001J | RF TXRX MODULE 802.15.4 WIRE ANT | XBP24-AWI-001J.pdf | |
| MS4800S-40-1080-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-40-1080-10X-10R.pdf |
