Infineon Technologies BSZ16DN25NS3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSZ16DN25NS3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BSZ16DN25NS3 G 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 769.18534
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BSZ16DN25NS3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. BSZ16DN25NS3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ16DN25NS3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BSZ16DN25NS3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ16DN25NS3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ16DN25NS3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BSZ16DN25NS3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 32µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GTR SP000781800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ16DN25NS3 G | |
| 관련 링크 | BSZ16DN, BSZ16DN25NS3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
BSZ16DN25NS3 G 의 관련 제품
 | EET-UQ2C561BA | 560µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 355 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | EET-UQ2C561BA.pdf | |
 | ECK-A3D271KBP | 270pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | ECK-A3D271KBP.pdf | |
 | 170M4833 | FUSE 200A 1000V 00TN/80 AR | 170M4833.pdf | |
| F61600023 | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | F61600023.pdf | |
 | ASTX-H11-12.000MHZ-T | 12MHz HCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 4.8mA Enable/Disable | ASTX-H11-12.000MHZ-T.pdf | |
 | AIUR-06-471K | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 568 mOhm Max Radial | AIUR-06-471K.pdf | |
| 1782-71G | 130µH Unshielded Molded Inductor 61mA 15 Ohm Max Axial | 1782-71G.pdf | |
| 2150-16F | 4.7µH Unshielded Molded Inductor 415mA 1.8 Ohm Max Axial | 2150-16F.pdf | |
.jpg) | RC0603FR-075K11L | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-075K11L.pdf | |
 | MCT06030C1500FP500 | RES SMD 150 OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C1500FP500.pdf | |
| CMF6510R000BHEB | RES 10 OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF6510R000BHEB.pdf | |
SF-xxA.jpg) | MLX90614ESF-BAA-000-TU | SENSOR TEMP PWM SMBUS TO39 | MLX90614ESF-BAA-000-TU.pdf |
