창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ240N12NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSZ240N12NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ240N12NS3 G-ND BSZ240N12NS3G BSZ240N12NS3GATMA1 SP000819814 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSZ240N12NS3 G | |
관련 링크 | BSZ240N, BSZ240N12NS3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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MKP385227125JC02W0 | 2700pF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) | MKP385227125JC02W0.pdf | ||
OP131W | Infrared (IR) Emitter 935nm 1.75V 100mA 3mW/cm² @ 100mA 50° TO-46-2 Metal Can | OP131W.pdf | ||
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Y0925178R000F9L | RES 178 OHM 8W 1% TO220-2 | Y0925178R000F9L.pdf | ||
PA46-BB-2-500-NC2 | SYSTEM PA46 BOUNCE-BACK | PA46-BB-2-500-NC2.pdf |